Analisis fisis parameter internal sel surya dengan sensitiser zat warna berdasarkan model rangkaian ekivalen

NUGRAHENI, Ari Dwi, Dr. Kuwat Triyana

2008 | Tesis | S2 Ilmu Fisika

Model rangkaian ekivalen model satu dioda digunakan sebagai alat untuk menganalisis secara fisis sel surya berbasis zat warna atau dye sensitized solar cells (DSSC). Hingga saat ini, peningkatan performa sel masih sulit dikembangkan sehingga perlu untuk mengetahui mekanisme fisis DSSC dengan menggunakan parameter internalnya seperti faktor ideal dioda (n), hambatan paralel (Rsh), hambatan seri (Rs), arus saturasi (Is) and arus foto (Iph). Digunakan tiga sampel yang berbeda, terdiri dari neutral route-thermal platinised counter electrode (NRT), neutral route-sputtering Pt counter electrode (NRS) dan acid treated-acid route-thermal platinised counter electrode (ATT). Metode untuk mencari nilai parameter internalnya adalah dengan mengubah persamaan rangkaian ekivalen fungsi tandar I=f(V) menjadi fungsi V=f(I). Nilai akurasi karakteristik I-V eksperimen dengan kurva I-V fitting menggunakan metode root mean squared error (RMSE). Dihitung nilai parameter internal DSSC dihasilkan nilai Rs yang kecil untuk sampel NRT seperti yang diharapkan. Nilai Rs tersebut ditunjukkan dengan nilai efisiensi yang tinggi pada hasil eksperimen untuk menunjukkan performa sel DSSC yang lebih baik.

Equivalent circuit using single diode model was employed as a tool to analyze physical performance of dye sensitized solar cells (DSSC). Since the improvement of cell performance is still very difficult, it is important to understand physical mechanism of DSSC by finding internal parameters such as ideality diode factor (n), shunt resistance (Rsh), series resistance (Rs), saturation current (Is) and photocurrent (Iph). For this purpose, three different devices was used which are consisting of neutral route-thermal platinised counter electrode (NRT), neutral route-sputtering Pt counter electrode (NRS) and acid treated-acid route-thermal platinised counter electrode (ATT). The method for finding internal parameters was estimated by changing the standard equivalent circuit equation I=f(V) to be V=f(I). To fit experimental data I-V characteristic with simulated one, root mean squared error (RMSE) was used. By considering the requirement of high performance device, the high efficiency was shown by NRT sample proven by the low series resistance.

Kata Kunci : DSSC,Rangkaian ekivalen,Karakteristik I,V,RMSE