Efek Impuritas Ir dan Pt terhadap Sifat Elektronik Germanene : Komputasi Berbasis Density Functional Theory

AHMAD KHOIRUL IKSAN, Sholihun, M.Sc., Dr.Sc.

2018 | Skripsi | S1 FISIKA

Telah dilakukan penelitian terkait pemberian impuritas Ir dan Pt terhadap germanene dalam rangka untuk mengetahui sifat elektronik dari sistem defect germanene-Ir dan germanene-Pt. Analisa kurva pita energi menunjukkan pemberian impuritas Ir mengubah sifat elektronik germanene dari konduktor menjadi semikonduktor tipe-p dengan energi formasi sebesar 2,19 eV dan nilai celah energi sebesar 0,062 eV , sementara pemberian impuritas Pt pada germanene tidak menunjukkan adanya pergeseran pada tingkatan energi fermi. Meski demikian, pemberian Pt pada germanene berkontribusi pada terbentuknya celah energi, sebesar 0,031 eV dengan energi formasi sebesar 1,72 eV . Ini terjadi karena karakteristik Pt sebagai impuritas yang bersifat netral. Hasil ini menunjukkan adanya potensi untuk dilakukan riset lebih lanjut tentang pemanfaatan material germanene dengan impuritas Ir dan Pt dalam dunia nanoelektronik.

A research of giving Ir and Pt as impurity to germanene in order to know the electronic properties of defect system of germanene-Ir and germanene-Pt has been done. Analysis of band structure curve shows that Ir changed the electronic property of germanene from conductor into a p-type semiconductor with formation energy of 2,19 eV and band gap of 0,062 eV . Meanwhile, giving Pt as impurity didn't show any shift of fermi-level yet it clearly showed a band gap of 0,031 eV with energy formation of 1,72 eV . This happened due to the characteristic of Pt as a neutral doping. This result shows there is a potention to lead an advanced research about the application of germanene with Ir and Pt as impurity in nanoelectronic field.

Kata Kunci : Germanene, Impuritas, Ir, Pt, Energi Formasi, Pita Energi, Sifat Elektronik.