STRUKTUR ELEKTRONIK MoX2 (X=S, Se, Te) MONOLAYER: KAJIAN TEORITIK KOMPUTASIONAL BERBASIS DENSITY FUNCTIONAL THEORY

HAPOSAN TRIJAYA S, Dr. Moh. Adhib Ulil Absor, M. Sc

2017 | Skripsi | S1 FISIKA

Telah diamati efek spin-orbit coupling (SOC) pada struktur elektronik material MoX2 (X=S, Se, Te) monolayer dengan pendekatan Density Functional Theory (DFT). Hasil perhitungan menunjukkan bahwa ditemukan spin-splitting sepanjang garis K-gama yang disebabkan karena pecahnya inversion symmetry pada struktur kristal MoX2 monolayer. Sedangkan disepanjang garis gama-M tidak terdapat spin-splitting yang disebabkan oleh time reversability dan mirror symetry. Pengaruh medan listrik luar diberikan pada struktur elektronik MoX2 monolayer untuk mengetahui evolusi struktur elektronik. Hasil yang diperoleh menunjukkan adanya spin-splitting pada arah gama-M sehingga menghasilkan efek Rashba disekitar titik gama. Selain itu, pengaruh medan listrik luar juga mengakibatkan adanya transisi dari direct ke indirect band gaps dan menghasilkan transisi dari semikonduktor ke logam ketika medan listrik yang diberikan semakin besar. Munculnya spin-splitting pada struktur elektronik material MoX2 menunjukkan bahwa material MoX2 sangat potensial untuk divais spintronik.

We have observed spin-orbit coupling (SOC) effects on the electronic structure of MoX2 (X = S, Se, Te) monolayer material with Density Functional Theory (DFT) approach. The calculations show that spin-splitting is found along the K-garis line caused by the broken of inversion symmetry in the crystal structure of MoX2 monolayer. While along the line gama-M, there is no spin-splitting due to the time reversability and mirrors symmetry. External electric field effect is apllied on the electronic structure of MoX2 monolayer to investigate evolution of electronic structure. The results show the spin-splitting in the gama-M direction, and thus inducing rashba effects around the point gama. In addition, external electric field effect also resulted in the transition from direct to indirect band gaps, which induced transition from semiconductor to metal when the electric field provided is getting bigger. The appearance of spin-splitting on the electronic structure of MoX2 material shows that the MoX2 material is highly potential for spintronic devices.

Kata Kunci : MoX2 monolayer, spin-splitting, DFT, SOC