KAJIAN NUMERIK PERMUKAAN FERMI PADA MATERIAL CUPRATE DENGAN MENGGUNAKAN MODEL HUBBARD ONE-BAND : PERANAN CHARGE DENSITY WAVE PADA DAERAH ANTIFERROMAGNETIK MOTT- INSULATOR DAN PSEUDOGAP

MUHAMMAD EGI IRFIAN A., Dr. Iman Santoso S.Si., M.Sc

2017 | Skripsi | S1 FISIKA

Telah dilakukan pengkajian permukaan Fermi secara numerik menggunakan model Hubbard one-band dengan metode exact diagonalization untuk melihat pengaruh faktor doping terhadap perkembangan Charge Density Wave (CDW) pada daerah Anti ferromagnetic Mott Insulator (AFM) dan pseudogap pada material cuprate. Pada penelitian ini pengaruh CDW dikarakterisasi berdasarkan nilai vektor dari Fermi Surface Nesting (FSN). Hasil penelitian menunjukkan pola CDW terbentuk di daerah pseudogap dengan panjang gelombang CDW berbanding lurus terhadap nilai dopingnya, namun pada saat doping mencapai nilai tertentu yang diwakili oleh parameter Hubbard dengan nilai: t = 1 ev ,U = 4 ev, μ =2 ev dan vi =-6 ev pola CDW menjadi hilang yang ditandai dengan kembali mengecilnya nilai panjang gelombang dari rapat muatan.

Numerical study of Fermi surface has been done using one-band Hubbard model with exact diagonalization method to see the effect of doping factor on Charge Density Wave (CDW) development on Anti ferromagnetic Mott Insulator (AFM) and pseudogap region on cuprate material. In this study the effect of CDW is characterized by Fermi Surface Nesting (FSN) vector. The results showed that CDW pattern formed in pseudogap region has CDW wavelength which is directly proportional to the dopping value. However, the CDW pattern will dissapear as the doping reaches the value which is represented by Hubbard parameters: t = 1 ev ,U = 4 ev, μ =2 ev and vi =-6 ev marked by the decressing of charge density wavelength .

Kata Kunci : Fermi Surface, AFM, pseudogap, CDW, doping, Hubbard model, exact diagonalization, cuprate